自2020年以來，內(nèi)存芯片市場大漲，老玩家三星借此實(shí)現(xiàn)了營收的大幅增長。不過，隨著美企加入內(nèi)存市場的競爭，三星的日子也不好過起來。

　　美韓3家巨頭掐架

　　根據(jù)美國半導(dǎo)體巨頭美光科技在此前財(cái)報(bào)會議上的說法，公司正在與光刻機(jī)大廠ASML開展談判工作，預(yù)計(jì)在2024年，美光將采用ASML的EUV光刻機(jī)生產(chǎn)存儲芯片。

　　根據(jù)EETOP的說法，目前的存儲芯片生產(chǎn)并不使用高端的EUV光刻機(jī)，上一代深紫外光刻機(jī)便可以滿足存儲芯片的生產(chǎn)需求。

　　而根據(jù)快科技此前的消息，美光將由1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入，使用EUV工藝的存儲芯片預(yù)計(jì)將在2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　其實(shí)，美光不是第一家使用EUV技術(shù)生產(chǎn)存儲芯片的廠商。快科技指出，在美光之前，三星和SK海力士已經(jīng)在去年年底便布局EUV工藝，且在技術(shù)推進(jìn)上更為激進(jìn)。

　　眾所周知，EUV工藝節(jié)點(diǎn)意味著更高的成本投入，而美光、三星等巨頭之所以不惜重金投入，無非是看到了存儲芯片市場巨大的潛力，想通過更先進(jìn)的產(chǎn)品性能來吸引客戶。與如此龐大的市場規(guī)模相比，購買EUV光刻機(jī)的支出顯得“微不足道”。

　　國產(chǎn)芯片廠商面臨考驗(yàn)

　　美韓3家巨頭的背后，光刻機(jī)巨ASML賺得盆滿缽滿。根據(jù)韓國媒體BusinessKorea此前的報(bào)道，ASML將赴韓國建廠，助力三星和SK海力士擴(kuò)充產(chǎn)能。

　　以三星為例，根據(jù)業(yè)界消息，三星計(jì)劃在今年共引進(jìn)10臺EUV光刻機(jī)，而三星用于生產(chǎn)存儲芯片的EUV光刻機(jī)將達(dá)到6臺。而對于ASML來說，一臺EUV光刻機(jī)的造價(jià)便高達(dá)1.35億美元，僅三星一個大客戶便可以帶來可觀的營收。

　　不過，幾家歡喜幾家愁。對于國內(nèi)的存儲芯片廠商來說，美企韓企的“混戰(zhàn)”，無疑意味著更大的挑戰(zhàn)。

　　Strategy Analytics的數(shù)據(jù)顯示，今年一季度，三星在智能手機(jī)NAND閃存芯片市場的占比達(dá)到42%，在DRAM存儲芯片市場的占比同樣高達(dá)54%，霸主地位毋庸置疑。而排在三星之后的，正是SK海力士和美光。

　　而對于國內(nèi)廠商來說，在市場份額、技術(shù)水平并不占優(yōu)勢的情況下，三星等巨頭又有了EUV光刻機(jī)的加持，國內(nèi)廠商想要追趕無疑是難上加難。

　　在國內(nèi)，長江存儲、合肥長鑫等均是國產(chǎn)存儲的希望。2020年4月，長江存儲發(fā)布了兩款128層3D NAND閃存芯片，在先進(jìn)工藝上邁出了重要一步。

　　而合肥長鑫也在2019年成功量產(chǎn)19nm工藝的DRAM存儲器產(chǎn)品，并開始向更為先進(jìn)的17nm等演進(jìn)。

　　不過，雖然國內(nèi)廠商極力追趕，與國際巨頭的差距仍明顯存在。目前，DRAM存儲芯片的工藝制程已經(jīng)推進(jìn)至10nm左右，且國內(nèi)廠商還需克服量產(chǎn)的良品率等問題，可謂任重而道遠(yuǎn)。

　　寫在最后

　　美企韓企的混戰(zhàn)給國內(nèi)廠商敲響了警鐘，國內(nèi)企業(yè)唯有加速自主研發(fā)，才能擺脫核心工藝受制于人的局面，國產(chǎn)存儲芯片終將在國際舞臺大放異彩。
　　文章來源：http://www.cjgs.cn/html/keji/2021_08/27/183179.html

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